眾人拾柴火焰高，MRAM技術聯盟正式成立

以東京電子、信越化工、瑞薩電子、日立以及美光科技在內的20多家日本以及美國企業已經組成MRAM技術研發聯盟，聯合開發MRAM技術，預計在明年2月份就會啟動相關的技術研究項目。
　　MRAM的全稱是Magnetic Random Access Memory，即磁阻式隨機存取存儲器，這是一種非易失性存儲器，速度與DRAM不相上下，但功耗更低、容量更大，被視為下一代高速存儲器的理想之選，適合用於固態硬盤、智能手機、平板電腦等設備上。

按照目前MRAM的發展進程，想要大規模投入使用MRAM，預計還得等到2018年，不過現在已經陸續有廠商推出MRAM產品，例如在本月中旬，美國Everspin技術公司就推出了ST-MRAM芯片，這種芯片存儲速度是普通MLC芯片的500倍，已經達到了DRAM芯片的水平。

引用資料來源：http://www.expreview.com/29615.html