AMD攜手Hynix開發3D堆棧內存HBM：性能提升65%

隨著GPU、CPU融合的深入，作為數據共享關鍵點之一的內存也亟需變革，不僅容量更高，還要速度更快。對內存帶寬有更迫切要求的AMD原本打算在Kaveri APU上使用GDDR5技術的，種種因素制衡之後還是放棄了。日前AMD宣布聯手Hynix開發HBM(high bandwidth memory，高帶寬) 內存，這也是一種3D堆棧式內存，性能比GDDR5提升65%，功耗降低40%。
　　Elecroiq報道稱，上週末美國加州城市柏林蓋姆舉辦了 RTI 3D ASIP會議，AMD和Hynix宣布聯合開發HBM內存，這也是一種3D堆棧內存分支，此前已經有美光、IBM、三星主導的HMC內存。

Hynix公司專家Minsuk Suh、AMD高級理事Byran Black及美光公司Kyle Kirby

此前在FPGA和傳感器領域已經有堆棧式設計（注：比如索尼的1300萬像素堆棧式攝像頭），但是AMD高級理事Byran Black表示目前上述領域的堆棧式設計還沒對主流計算領域的CPU、GPU和APU產生影響，而HBM內存將會改變（CPU、GPU及APU）。進軍3D堆棧是一項英勇的舉動，AMD已經準備採取這樣的行動。
　　目前SK Hynix已經開始出樣HBM產品，而AMD將聯合Hynix開發HBM內存，已經開始準備與客戶合作。
　　Hynix公司首席工程師Minsuk Suh表示他們正在準備兩種堆棧式內存，一種是用於住內存的3DS，另外一種是用於圖形、網絡的高性能HBM內存，JEDEC針對這些產品的規範已經接近完成。

HBM與3DS兩種規範

3D堆棧內存多採用TSV硅穿孔技術，HBM類型支持多種1024個通道，可提供最高的帶寬，主要用於對性能要求較高的網絡和圖形市場。3DS更注重成本與速度的均衡，面向主內存。

引用資料來源：http://www.expreview.com/29959.html