VR-Zone獲得的資料顯示,Broadwell-EP系列處理器可能在2015年夏季推出,時間上很接近2015年的秋季IDF。其核心數量從Haswell-EP的最多14個增加到最多18個,26線程,緩存容量也從35MB提高到45MB。

另一種分支就是12-16核心,主要面向服務器及工作站,其中服務站級的只會有12個核心,TDP為160W。
實際上Broadwell-EP原生可能只有16核心,18核心的是從更高階的Broadwell-EX閹割而來。與之前產品一樣,Broadwell-EP每個核心平均2.5MB L3緩存,從IVB-EP開始Intel實現了核心關閉的同時L3緩存保持啟用的技術,Broadwell-EP應該也會支持這一技術。
內存方面,Broadwell-EP將支持四通道DDR4-2400模式,每通道支持2條內存,這樣一來雙路Broadwell-EP上將有16條DIMM內存插槽,提供TB級別DDR4-2400內存速度。
DDR4延遲更高,但是頻率更快,具體能帶來多少性能提升?據Intel內部測試,相比DDR3-1866,DDR4-2400在其他條件相同的情況下有15-25%的提升,要知道DDR4內存的電壓可是降低到了1.2V的。
這樣一套雙路Broadwell-EP系統將會擁有36個核心,72線程,2TB DDR4內存,80條PCI-E 3.0通道。另外,Intel還會提供40GE網絡以及2TB PCI-E 3.0 SSD。如果覺得性能還不夠,還可以擴展Intel的Xeon Phi加速卡。
其性能如何呢?根據實際頻率和加速頻率,部分16、18核心的Broadwell-EP處理器可提供1TFLOPS的雙精度性能,雖然還不到屆時Xeon Phi加速卡的三分之一,但是對通用處理器來說,這個性能已經很強大了。其他應用上的性能,除非針對多核做了優化,不然是不會有明顯的性能變化的。

Intel的性能測試

引用資料來源:http://www.expreview.com/29957.html
沒有留言:
張貼留言